2025年11月4日
【日時】令和7年11月4日(火) 10:00～15:00
【場所】大分県産業科学技術センター 多目的ホール
【テーマ】データセンタ省電力化・自動車xEV化を睨んだSiC/GaNパワーデバイス開発の最新技術
【概要】電気エネルギーの有効活用に欠くことのできないキーテクノロジーがパワーエレクトロニクス
(パワエレ)であり，パワーデバイスです。 最新パワエレ機器の基幹部品であるパワーデバイス
では、新材料 SiC/GaN デバイスの普及が大いに期待されています。現在のパワー半導体
市場は，シリコン（Ｓｉ）パワーデバイスが未だに主役に君臨しているものの、上述の
アプリケーションへ拡販を目指した新材料SiC/GaNパワー半導体技術の進展には見張る
ものがあります。 本講演ではＳｉパワーデバイスの最新状況ならびにSiC/GaN最新技術と
今後の動向について、パワーデバイス分野の第一人者である筑波大学の岩室教授により
半導体素子や実装技術、さらには市場予測を含め、わかりやすく、かつ丁寧に解説。
＜内容＞
１．パワーエレクトロニクス、パワーデバイスとは何？
２．最新シリコンパワーMOSFETとIGBTの進展と課題
３．SiCパワーデバイスの現状と課題
４．GaNパワーデバイスの現状と課題
５．SiCパワーデバイス実装技術の進展
６．まとめ
【講師】岩室憲幸 教授
筑波大学 物理物質系 物理工学域
【参加者】 20社 73名
(大分県自動車関連企業会と共催)
岩室講師 会場の様子
